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  • 制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 类别封装:FET - 阵列,6-XFDFN
  • 技术参数:MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
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PMDXB1200UPEZ 技术参数详情:
  • NXP恩智浦完整型号: PMDXB1200UPEZ
  • 制造商:NXP(恩智浦半导体)
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 410mA
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 43.2pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 285mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装: DFN1010B-6
  • PMDXB1200UPEZ优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
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