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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：FET - 阵列，6-XFDFN
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
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PMDXB1200UPEZ 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号: PMDXB1200UPEZ
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 功能总体简述: MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
- 系列: -
- FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 410mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 43.2pF @ 15V
- 功率 - 最大值: 285mW
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装: DFN1010B-6
- PMDXB1200UPEZ优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
