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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：单端场效应管，3-DFN1006B
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
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PMZB350UPE,315 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PMZB350UPE,315
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 300mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：127pF @ 10V
- 功率 - 最大值：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-XFDFN
- 供应商器件封装：3-DFN1006B（0.6x1）
- PMZB350UPE,315优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
